Gaz inflammable incolore, insipide, inodore, non toxique. Le point de fusion est - 259.2 degré, et le point d'ébullition est - 252 77 degré, densité relative (O degré, air=1) 0 06960. Densité de gaz 0.08 342 kg. 111-3 (21,1 degré, 101 3kPa) ; Densité liquide 70. 96 kg. n-3 (- 252.8 degré , 101 3kPa). La température critique est de 239,9 degrés et la pression critique est de 1,297 MPa. Dissoudre dans environ 50 volumes d'eau à 0 degré . Il est asphyxiant à haute concentration. Très facile à diffuser et à pénétrer. Agent réducteur fort, pénétrant l'acier, fragilisation par l'hydrogène. La molécule d'hydrogène est composée de deux isomères et le rapport entre l'hydrogène positif et secondaire est de 75:25 à température ambiante. Avec la baisse de température, la proportion d'hydrogène secondaire augmente, accompagnée du dégagement de chaleur de conversion. 20. À 4K, la composition de la balance est de 0,2:99,8. L'hydrogène n'est pas toxique, mais il ne peut pas maintenir la vie. Il peut former un mélange explosif lorsqu'il est mélangé à l'air et peut provoquer une combustion et une explosion en cas de feu ouvert et de chaleur élevée. Il peut réagir violemment avec le fluor, le chlore, etc. Aucune flamme n'est visible lors de la combustion et il explose facilement lorsqu'il est mélangé à de l'air, de l'oxygène, du chlore, etc. La température d'auto-inflammation est de 571,2 t. La limite d'inflammabilité dans l'air est de 4,0 % ~ 75,0 %.

L'hydrogène de haute pureté est principalement utilisé dans la fabrication de circuits intégrés à grande échelle pour fournir une atmosphère réductrice comme gaz de base pour la préparation de SiH4/H2, PH3/H2, B2 H6/H2 et d'autres mélanges gazeux. Dans le processus de production de matériaux et d'appareils électriques sous vide, les exigences en matière de pureté de l'hydrogène sont également très élevées. L'anode, la cathode, la grille et les autres dispositifs métalliques du tube électronique doivent subir un traitement spécial de combustion à l'hydrogène. De plus, il est utilisé comme gaz protecteur et gaz porteur dans le processus d'épitaxie du silicium et de l'arséniure de gallium.

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